
GS3M-1200-0018
点击618SiC芯片 型号GS3M-1200-0018A, V(ds)=1200V,导通电阻R(dson)=18mΩ,I(ds)=95A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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SiC芯片 型号GS3M-1200-0018A, V(ds)=1200V,导通电阻R(dson)=18mΩ,I(ds)=95A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
SiC芯片 型号GS3M-1200-0025, V(ds)=1200V,导通电阻R(dson)=25mΩ,I(ds)=90A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
SiC芯片 型号GS3M-1200-0040 ,V(ds)=1200V,导通电阻R(dson)=35mΩ,I(ds)=60A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
SiC芯片 型号GS3M-0650-0035(Preliminary), V(ds)=650V,导通电阻R(dson)=35mΩ,I(ds)=60A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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