H3D20120H

2024-10-18 点击534

SiC肖特基二极管 型号H3D20120H，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=20A，TO-247-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D30065D

2024-10-18 点击496

SiC肖特基二极管 型号H3D30065D，反向电压V（rrm）=650V，平均正向电流I（f）=30A，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D30120D

2024-10-18 点击539

SiC肖特基二极管 型号H3D30120D，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=15A，TO-247-3L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D40120D

2024-10-18 点击497

SiC肖特基二极管 型号H3D40120D反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=53A，TO-247-3L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D40120H

2024-10-18 点击493

SiC肖特基二极管 型号H3D40120H，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=40A，TO-247-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。