GS3M0035065D

2024-10-18 点击765

SiC MOSFET GS3M0035065D ,V（ds）=650V，导通电阻R（dson）=35mΩ，I（ds）=60A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0060065D

2024-10-18 点击665

SiC MOSFET 型号GS3M0060065D ,V（ds）=650V，导通电阻R（dson）=60mΩ，I（ds）=33A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0025120D

2024-10-18 点击668

SiC MOSFET 型号GS3M0025120D ,V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=25mΩ，I（ds）=90A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0018120D

2024-10-18 点击737

SiC MOSFET 型号GS2M0018120D,V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=16mΩ，I（ds）=95A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。