H3D20120H

2024-10-18 点击534

SiC肖特基二极管 型号H3D20120H，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=20A，TO-247-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D30065D

2024-10-18 点击496

SiC肖特基二极管 型号H3D30065D，反向电压V（rrm）=650V，平均正向电流I（f）=30A，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D30120D

2024-10-18 点击539

SiC肖特基二极管 型号H3D30120D，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=15A，TO-247-3L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D40120D

2024-10-18 点击497

SiC肖特基二极管 型号H3D40120D反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=53A，TO-247-3L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

H3D40120H

2024-10-18 点击493

SiC肖特基二极管 型号H3D40120H，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=40A，TO-247-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0035065D

2024-10-18 点击765

SiC MOSFET GS3M0035065D ,V（ds）=650V，导通电阻R（dson）=35mΩ，I（ds）=60A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0060065D

2024-10-18 点击665

SiC MOSFET 型号GS3M0060065D ,V（ds）=650V，导通电阻R（dson）=60mΩ，I（ds）=33A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0025120D

2024-10-18 点击668

SiC MOSFET 型号GS3M0025120D ,V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=25mΩ，I（ds）=90A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M0018120D

2024-10-18 点击737

SiC MOSFET 型号GS2M0018120D,V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=16mΩ，I（ds）=95A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M-1200-0018

2024-10-18 点击618

SiC芯片 型号GS3M-1200-0018A， V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=18mΩ，I（ds）=95A，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M-1200-0025

2024-10-18 点击613

SiC芯片 型号GS3M-1200-0025， V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=25mΩ，I（ds）=90A，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M-1200-0040

2024-10-18 点击645

SiC芯片 型号GS3M-1200-0040 ，V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=35mΩ，I（ds）=60A，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

GS3M-0650-0035

2024-10-18 点击659

SiC芯片 型号GS3M-0650-0035(Preliminary）, V（ds）=650V，导通电阻R（dson）=35mΩ，I（ds）=60A，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。